CMP装置 · メーカー紹介
日本エンギス株式会社
ダイヤモンドラッピングと化合物半導体・SiCの研削〜CMP加工。測定設備を備えたデモラボ
編集部コメント化合物半導体の薄化なら
向いている人 化合物半導体やSiCを、貼り付けから研削、CMPまでの工程で装置と条件をまとめて検討したい場合に向きます。
確認しておきたい点 対応ウェーハサイズの数値は今回確認したページにありません。CMP専用機ではなくラッピング・ポリッシング装置の構成です。
日本エンギス株式会社のCMP装置
日本エンギスは、ダイヤモンドパウダーと、それを使った超精密鏡面研磨のラッピング・ポリッシング装置、研削装置を扱う会社です。本社は神奈川県横浜市都筑区にあります。卓上・据置型のラッピング装置は、ラボスケールからプロダクションスケールまでに対応するとしています。
デモラボでは、研磨後の評価を行う測定設備をそろえ、要望に合わせた加工条件を探すと説明しています。加工事例として、InP、GaAs、GaSbなどの化合物半導体を、貼り付け(EBM-200HCD、接着バラツキTTV<1µm)、研削(HVG-250ADM)、CMP(EJW-460I-2ALD-D)を経て板厚100µm以下に仕上げる工程を載せています。
SiCパワー半導体では、2軸研削盤HVG-300DSOと、ダイヤモンド砥粒またはCMPスラリーを使うポリッシング装置(EJW-910I-3ALD-D)の事例を紹介しています。受託研磨会社のティ・ディ・シーは、CMPラップ機のメーカーとして同社名を挙げています。
日本エンギス株式会社の特徴
卓上・据置型ラッピング装置: ラボスケールからプロダクションスケールに対応。水冷式スピンドル、高精度フェーシング装置
デモラボ: 研磨後の評価を瞬時に行える測定設備を完備し、要望に応じた加工条件を探す
化合物半導体(InP、GaAs、GaSb等)の貼付・研削・CMPで板厚100µm以下に仕上げる工程を紹介
貼付装置EBM-200HCD(接着バラツキTTV<1µm)、研削HVG-250ADM(厚さバラツキTTV<1μm)、CMP EJW-460I-2ALD-D
SiC: 2軸研削盤HVG-300DSOとHYPREZポリッシング装置EJW-910I-3ALD-D(ダイヤモンド砥粒もしくはCMPスラリー)の事例
DLCのラッピング・ポリッシュ事例: 平面度0.3μm、表面粗さ<1nmRa(研磨装置EJW-400IFN)
主な主な装置・サービスと仕様
| 主な装置・サービスと仕様 | 種類 | 備考 |
|---|---|---|
| EJ-380IN-CH/EJW-400IFほか | 卓上・据置型ラッピング装置 | |
| EJW-460I-2ALD-D/EJW-910I-3ALD-D | ポリッシング装置(CMP工程に使用) | 化合物半導体・SiCの事例 |
| HVG-250ADM/HVG-300DSO | 研削装置 | |
| EBM-200HCD | ウエハ貼付装置 | TTV<1µm |
対応分野・事例
- デモラボの加工事例: DLCのラッピング、化合物半導体の貼付・研削・CMP、SiCの薄肉研削、球面研磨(公式記載)
基本情報
| 所在地 | 神奈川県横浜市都筑区川向町1360 |
|---|---|
| 電話 | 045-474-0666 |
| 区分 | 装置メーカー(研磨装置・砥粒) |
| 装置の形態 | 卓上・据置型ラッピング/ポリッシング装置 |
| 対応ウェハサイズ | 記載なし |
| 研磨対象 | 化合物半導体(InP、GaAs、GaSb)、SiC、DLCなど |
| 研究開発・受託 | デモラボで加工条件を検討 |
| 価格の記載 | 記載なし |
| 公式サイト | https://www.engis.co.jp/ |
まとめ
日本エンギス株式会社のCMP装置について、公式サイトの記載をもとに整理しました。条件は案件ごとに異なるため、公式サイトから直接お問い合わせください。用途別のおすすめは3選ページでも紹介しています。
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参照元
- https://engis.co.jp/demolab
- https://engis.co.jp/lapping-polishing/lapping-machine
- https://www.engis.co.jp/
※2026年10月1日時点の公式サイトの記載をもとに作成しています。掲載内容の訂正はこちら。
【用途別】CMP装置メーカーおすすめ3選
研究開発用の装置を、受託でプロセスを試してから選ぶなら
北川グレステック株式会社
卓上型から3インチ〜300mmのCMP実験装置まで。SiC・TSV・ダマシンの受託CMPも同じ会社で
試験・量産用のCMP装置をウェハサイズに合わせて案内し、マニュアルローディングのCMP実験装置は3インチ〜150mm/200mm/300mmをドレス機構付きでそろえる。卓上型は酸性・アルカリ性のあらゆるスラリーに対応。CMP受託加工ではプロセス開発・試作・消耗品評価を請け負い、SiCパワーデバイス、SOI、MEMS、TSV、TGV、ダマシンプロセスの実績を公式に記載。
SiC・MEMSなど8インチ以下のデバイスを、開発から量産まで同じ装置で
株式会社東京精密
小型CMP装置ChaMP211は2〜8インチの研磨ヘッドで、R&Dから試作、量産まで拡張可能。300mm機ChaMP332も
ChaMP211は量産ラインで培った技術を載せた小型のCMP装置で、SiCやMEMS、マイクロLED、SAWフィルター等のデバイスに最適と記載。2〜8インチの研磨ヘッドで同じ本体のまま異なるウェーハサイズを研磨でき、ウェーハローダと洗浄ユニットを積んでフルオート動作が可能。エアフロート式ヘッドSylphideと白色光の終点検出を備える。
半導体工場の量産ラインに、スループット重視で入れるなら
株式会社荏原製作所
F-REX300XA型は1テーブル1ヘッドのデュアルモジュール方式。終点検出とインライン膜厚測定はオプション
F-REX型はウェーハ表面を化学的機械的に研磨するクリーンルーム設置型のCMP装置で、ドライイン/ドライアウト、多段薬液洗浄に対応。F-REX300XA型は新開発の高効率搬送機構とWPH最適化アルゴリズムを搭載し、1テーブル1ヘッド、デュアルモジュール方式、クロスコンタミ対策、改造が容易なモジュール構造を備え、F-REX300X型比で約10%の消費電力削減をうたう。