3比較ハブCMP装置

CMP装置 · メーカー紹介

株式会社ティ・ディ・シー

【受託研磨】SiC・LT・ガラスなどのCMP研磨加工を1点から。CMPラップ機3台で〜φ305mm程度

公式サイト情報の確認日 2026年10月1日

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編集部コメント接合前の平滑化を1点から

向いている人 接合用のSiCやLT基板など、原子レベルの平滑さが要る少数の試料をCMPで仕上げてほしい研究機関や企業に向きます。

確認しておきたい点 費用と納期は個別の問い合わせです。今回確認したページは受託加工の案内で、CMP装置の販売の案内はありません。

株式会社ティ・ディ・シーのCMP装置

ティ・ディ・シー(TDC)は、超精密研磨・鏡面加工を受託する会社で、本社は宮城県宮城郡利府町、西日本営業所は大阪府吹田市にあります。1989年1月の設立で、従業員は67名です。

CMP研磨加工は、MEMSやパワーデバイス用のウエハ、SiCやGaNなどの難削材料の研磨に使う加工として紹介しています。加工事例には、SiCウエハで表面粗さRa0.1nm以下(接合用基板)、LT&水晶基板のLT側研磨で表面粗さRa0.2nm以下・膜厚ばらつき150nm以下(φ100)、テンパックスガラスで仕上げの厚み公差±1umを挙げています。

CMP装置は、日本エンギスほかのCMPラップ機を3台持ち、定盤はφ18インチ〜36インチ、対応可能サイズは〜φ305mm程度と記載しています。材料の提案・調達、試験片の製作、1点から量産までの対応をうたっています。

株式会社ティ・ディ・シーの特徴

CMP研磨加工の用途: パワーデバイスやMEMSデバイス用のウエハ、SiCやGaNの難削材料の研磨

加工事例①: SiCウエハ、表面粗さRa0.1nm以下、用途は接合用基板

加工事例②: LT&水晶基板(LT側の研磨)、φ100×LT膜厚1um、表面粗さRa0.2nm以下・膜厚ばらつき150nm以下

加工事例③: テンパックスガラス、50×50×t1程度、仕上げの厚み公差±1um

TDCで扱うCMP装置: CMPラップ機(日本エンギス、その他)、φ18インチ〜36インチ、対応可能サイズ〜φ305mm程度、3台

材料のご提案・調達 / 試験片製作 / 難削材 / 1点〜量産に対応と記載

CMP研磨の工程: ポリッシング用アルミ盤にポリウレタンまたは発泡ウレタン製パッドを貼付け、研磨剤を浸し、試料ホルダーを設置、時間と回転数(50〜80rpm)を設定して研磨。研磨後は水→アセトン→アルコール→水の順で洗浄

接合用基板は一般的にCMP研磨加工の後に精密洗浄を実施すると説明

サイトに納品実績一覧(大学・研究機関)のページを掲載

会社概要: 本社 宮城県宮城郡利府町、西日本営業所 大阪府吹田市、設立1989年1月、従業員67名

主な主な装置・サービスと仕様

主な装置・サービスと仕様種類備考
CMP研磨加工受託研磨SiC、LT、ガラスなど
ラップ・ポリッシング研磨加工受託研磨
精密洗浄・精密測定関連サービス

対応分野・事例

  • CMP加工事例: SiCウエハ(接合用基板)、LT&水晶基板(異種材料接合・LT膜極薄化)、テンパックスガラス(流路の深さ管理)

基本情報

所在地宮城県宮城郡利府町飯土井字長者前24-15
設立1989年1月
従業員数67名
区分受託研磨
対応ウェハサイズ〜φ305mm程度(CMPラップ機の対応可能サイズ)
研磨対象SiC、LT・水晶、ガラス、難削材
研究開発・受託1点〜量産、試験片製作
価格の記載記載なし
公式サイトhttps://mirror-polish.com/service/polishing/cmp/

まとめ

株式会社ティ・ディ・シーのCMP装置について、公式サイトの記載をもとに整理しました。条件は案件ごとに異なるため、公式サイトから直接お問い合わせください。用途別のおすすめは3選ページでも紹介しています。

株式会社ティ・ディ・シーが登場する記事

参照元

※2026年10月1日時点の公式サイトの記載をもとに作成しています。掲載内容の訂正はこちら。

【用途別】CMP装置メーカーおすすめ3選

※2026年10月時点の公式サイト情報をもとに編集チームが選定。選定基準。

1イチオシ

研究開発用の装置を、受託でプロセスを試してから選ぶなら

北川グレステック株式会社

卓上型から3インチ〜300mmのCMP実験装置まで。SiC・TSV・ダマシンの受託CMPも同じ会社で

試験・量産用のCMP装置をウェハサイズに合わせて案内し、マニュアルローディングのCMP実験装置は3インチ〜150mm/200mm/300mmをドレス機構付きでそろえる。卓上型は酸性・アルカリ性のあらゆるスラリーに対応。CMP受託加工ではプロセス開発・試作・消耗品評価を請け負い、SiCパワーデバイス、SOI、MEMS、TSV、TGV、ダマシンプロセスの実績を公式に記載。

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2

SiC・MEMSなど8インチ以下のデバイスを、開発から量産まで同じ装置で

株式会社東京精密

小型CMP装置ChaMP211は2〜8インチの研磨ヘッドで、R&Dから試作、量産まで拡張可能。300mm機ChaMP332も

ChaMP211は量産ラインで培った技術を載せた小型のCMP装置で、SiCやMEMS、マイクロLED、SAWフィルター等のデバイスに最適と記載。2〜8インチの研磨ヘッドで同じ本体のまま異なるウェーハサイズを研磨でき、ウェーハローダと洗浄ユニットを積んでフルオート動作が可能。エアフロート式ヘッドSylphideと白色光の終点検出を備える。

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3

半導体工場の量産ラインに、スループット重視で入れるなら

株式会社荏原製作所

F-REX300XA型は1テーブル1ヘッドのデュアルモジュール方式。終点検出とインライン膜厚測定はオプション

F-REX型はウェーハ表面を化学的機械的に研磨するクリーンルーム設置型のCMP装置で、ドライイン/ドライアウト、多段薬液洗浄に対応。F-REX300XA型は新開発の高効率搬送機構とWPH最適化アルゴリズムを搭載し、1テーブル1ヘッド、デュアルモジュール方式、クロスコンタミ対策、改造が容易なモジュール構造を備え、F-REX300X型比で約10%の消費電力削減をうたう。

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